電磁マイクロ波兵器パート。 1

電磁兵器マイクロ波

現代の兵器システムにおける電子システムの使用が広範かつ増え続けているということは、XNUMX 年以上にわたり、世界のすべての主要な軍隊が適切な対抗手段を実施または取り組んできたことを意味します。すべての電子部品は、あらゆる軍用機器に組み込まれています。 その影響から身を守ることはできません。機器に適切な保護を組み込むことで、その影響を軽減しようとすることができます。

この記事では、タイトルの武器の影響を受けにくい電磁攻撃を実行するためのさまざまな戦闘手段と技術的手段を紹介します。 また、このような攻撃から機器を保護する方法についても説明します。 ポーランドでは多くの種類の新しい軍事装備が構築されていますが、残念ながら、電磁兵器の影響に対する基本的な保護手段でさえ含まれておらず、この装備はXNUMX年以上、さらには数十年にわたって運用されます。また、現代の武力紛争に参加すれば、ますます高度化する電磁兵器による攻撃を受けることになります。 これは、遠征任務や非対称紛争にも当てはまります。そのような武器は、実際にはいわゆるで作成された非常に単純な設計になる可能性があるためです。 国内で使用されており、その使用は中東の紛争ですでに注目されています。

電磁兵器マイクロ波

指向性エネルギー兵器 (DEW) i 無線周波数指向性エネルギー兵器 (RF-DEW)

マイクロ波電磁兵器は、戦場だけでなく真の脅威です。 兵器システムや戦闘車両には、ユーザーに新しい機会を提供するますます高度な電子システムが装備されていることはよく知られています。 したがって、正常な動作を妨害する攻撃が成功すると、通常はそれらを効果的に排除できます。 現在、電子戦 (EW - 電子戦) の使用が広まっています。 したがって、軍事先進国のほとんどが、電磁攻撃から保護するための独自の方法と技術を開発していることは驚くべきことではありません。

一方、「指向性エネルギー兵器」（DEW）は、粒子の流れに基づく電磁、レーザー、および音響兵器です。 この記事では、いくつかの例外を除いて、高周波指向性エネルギー兵器 (RF-GNE) のみに焦点を当てます。RF-GNE は、さまざまな種類の集中波の影響により、損傷を与える電圧と電流、および局所的に蓄積される熱効果を生成してターゲットを攻撃します。ビーム。 マイクロ秒からミリ秒までの非常に短い期間、電子戦兵器の数百倍から数千倍の高いピーク電力とエネルギーを持つ電磁場 (下の図)。

RF-ROSAのタスクは、ターゲットの破壊、または電子部品およびデバイス（C4ISRシステム、ラジオ局、ミサイルとその発射装置、さまざまなセンサーおよび光電子システムなど）を含む武器またはその要素の動作の不可逆的な混乱です。 .)、それらを正確に認識する必要はありません。 RF-DEW 暴露の終了後、攻撃された機器は永久に使用できなくなります。

電磁兵器の分野では、多くの用語と用語があります。 基本的な違いは、電子戦/電子戦システム(兵器)と電磁兵器の概念の分離です。 EW 兵器は、他の電子機器を妨害 (沈黙) するように設計されており、通常、非常に複雑な電波相互作用アルゴリズムを使用して、1 kW 程度の低電力で動作します。 彼の仕事は、敵が電子機器を使用するのを防ぐと同時に、自分の機器が機能する能力を確保することです。 電子戦システムは、さまざまなターゲット、攻撃前にその操作アルゴリズムを正確に認識する必要性、およびそれらを侵害する可能性のある方法のために、非常に複雑で高価です。 いわゆる電子カモフラージュの使用は、電子情報システムにとってほとんど役に立ちません。 電磁放射に基づいて、個々のサブユニットの正確な位置を特定し、そのタイプ (たとえば、特定の領域にある放射線源を認識してカウントすることによって) および実行されているタスク (たとえば、評価することによって) を特定することができます。個々の放射線源の位置の変化)。 WREとして定義される敵対行為には長い間、「電子支援」（電子戦支援、すなわち、敵に関する情報を取得するための電磁放射の受動的認識）と「電子攻撃」（電子攻撃 - 能動的または受動的）だけではありません。敵によるこの種の放射線の使用を防ぐための低出力電磁放射線の使用)だけでなく、「電子保護」(電子保護)。 防御とは、原則として、敵が電子支援と攻撃のタスクを実行する能力を制限するすべての種類の活動です。 通常、反対側は、検出と追跡に対する高度な保護方法 (ECM - 電子対抗手段) または敵の ECM に対する対抗手段 (電子対抗手段) を使用します。

進化し続ける軍用電子機器産業における 1 つの主要な傾向により、戦場で RF-DEW 兵器を使用することへの関心が世界的に高まっています。 第一に、エネルギー効率の高い直流電源とセルの作成、およびマイクロ波範囲の非常に強力な電磁放射の発生器の作成が進んでいます。 XNUMX 番目の要因は、軍用機器で使用される新しい電子デバイスとそのコンポーネントの電磁影響への曝露が増加していることです。 これは、とりわけ、トランジスタのサイズがますます小さくなること、特に MOSFET タイプ (金属酸化物半導体電界効果トランジスタ)、集積回路内の半導体の非常に高い実装密度 (ムーアの法則)、および消費電力と供給の低下によって引き起こされます。マイクロプロセッサ内のトランジスタの最大電圧 (現在約 XNUMX V)、動作周波数はギガヘルツの範囲にあり、ワイヤレス通信はますます普及しています。 第 XNUMX の要因は、新たに開発された兵器の精巧さのレベルが、それらに実装されている電子デバイスにますます依存するようになっていることです。 したがって、RF-DEW は新しいタイプの武器を効果的に破壊または無力化することができます。 一方、このタイプの武器は、その損傷効果に耐性のあるプラットフォームに統合して移動する必要があります。